Transistor C1815 NPN

Descripción

Código: TRAC181501

El Transistor C1815 NPN es un semiconductor bipolar de unión para baja potencia. Además, este componente de silicio destaca por su bajo nivel de ruido. Por este motivo, resulta ideal para preamplificadores de audio en Paraguay.

Beneficios del Transistor C1815 NPN en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una ganancia de corriente continua muy lineal. Por lo tanto, proporciona una respuesta de amplificación sumamente limpia. De esta manera, facilitás la fabricación de preamplificadores e interruptores electrónicos.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de entrada de señal.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor C1815 NPN de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emitter (Emisor)

• Pin 2 (Centro): Collector (Colector)

• Pin 3 (Derecha): Base

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la referencia de masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre la línea positiva y el Colector.

Amplificación de bajo ruido y alta velocidad

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor C1815 NPN conmuta señales con excelente rapidez. De este modo, podés resolver proyectos escolares y profesionales a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de baja potencia NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor C1815 NPN (Conocido universalmente como 2SC1815)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 50 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 60 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 150 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 750 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación amplio situado entre 70 y 700 (según subgrupo O, Y, GR, BL)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida de máximo 0,25 V (medido a IC = 100 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de 1,0 V (medido a IC = 100 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 80 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Colector, Pin 3 Base

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de señal de baja potencia, etapas de entrada de amplificadores, preamplificadores de audio de bajo ruido, interruptores electrónicos y proyectos de electrónica básica