Transistor A1015 NPN

Descripción

Código: TRAA101501

El Transistor A1015 PNP es un semiconductor bipolar de unión para baja potencia. Además, este componente de silicio destaca por su bajo nivel de ruido. Por este motivo, resulta ideal para preamplificadores de audio en Paraguay.

Beneficios del Transistor A1015 PNP en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una ganancia de corriente continua muy elevada. Por lo tanto, proporciona una respuesta de amplificación sumamente limpia. De esta manera, facilitas la fabricación de preamplificadores e interruptores electrónicos.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de entrada de señal.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor A1015 PNP de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emitter (Emisor)

• Pin 2 (Centro): Collector (Colector)

• Pin 3 (Derecha): Base

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la línea positiva de alimentación. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre el Colector y la masa.

Amplificación de bajo ruido y par complementario

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor A1015 PNP funciona como pareja complementaria del C1815. De este modo, podés resolver proyectos de audio a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de baja potencia PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor A1015 PNP (Conocido universalmente como 2SA1015, par del C1815)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -50 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -50 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -150 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 400 mW a 750 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación amplio situado entre 70 y 400 (según subgrupo O, Y, GR)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida de máximo -0,3 V (medido a IC = -100 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de -1,1 V (medido a IC = -100 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 80 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Colector, Pin 3 Base

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de señal de baja potencia, etapas de entrada de amplificadores, preamplificadores de audio de bajo ruido, interruptores electrónicos y etapas complementarias con C1815