Transistor BC337 NPN

Descripción

Código: TRABC33701

El Transistor BC337 NPN es un semiconductor bipolar de unión para media potencia. Además, este componente de silicio destaca por su bajo nivel de ruido. Por este motivo, resulta ideal para proyectos de electrónica general en Paraguay.

Beneficios del Transistor BC337 NPN en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo maneja corrientes continuas de hasta 800 mA. Por lo tanto, ofrece una respuesta de conmutación muy eficiente y limpia. De esta manera, facilitás la fabricación de preamplificadores y controladores.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de entrada de señal.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor BC337 NPN de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Collector (Colector)

• Pin 2 (Centro): Base

• Pin 3 (Derecha): Emitter (Emisor)

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la referencia de masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre la línea positiva y el Colector.

Amplificación de bajo ruido y etapas complementarias

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor BC337 NPN actúa como par complementario del BC327. De este modo, podés resolver etapas de salida de audio a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de pequeña y media potencia NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor BC337 NPN (Par complementario PNP BC327)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 45 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 50 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 800 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 625 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación amplio situado entre 100 y 630 (según subgrupo -16, -25, -40)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida típica de 0,7 V (medido a IC = 500 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de 1,2 V (medido a IC = 500 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 300 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Colector, Pin 2 Base, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de pequeña señal, etapas de entrada de amplificadores, preamplificadores de audio, interruptores electrónicos, controladores de motores y proyectos de electrónica básica