Transistor de potencia 2N3055

Descripción

Código: TRATRANS05

El Transistor de potencia 2N3055 es un semiconductor bipolar NPN de silicio. Además, este componente robusto destaca por manejar elevadas corrientes. Por este motivo, resulta ideal para fuentes de alimentación en Paraguay.

Beneficios del Transistor de potencia 2N3055 en circuitos de potencia

Por un lado, este dispositivo soporta tensiones de trabajo de 60V. Por lo tanto, ofrece una respuesta eléctrica sumamente estable. De esta manera, facilitás la fabricación de reguladores y amplificadores de audio.

Asimismo, su encapsulado metálico TO-3 ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores externos. Por esta razón, su uso evita fallas en inversores y controladores de motores.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá los terminales de su robusta carcasa metálica. Si mirás el Transistor de potencia 2N3055 por la parte inferior, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Derecha): Emisor

• Carcasa metálica (Cuerpo): Colector

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la referencia de masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, el Colector se vincula directamente a través de la carcasa metálica.

Uso en fuentes de alimentación y amplificadores

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor de potencia 2N3055 tolera cargas de hasta 15A. De este modo, podés resolver reemplazos de alta potencia con un costo muy bajo.

Por último, te invitamos a revisar nuestra tienda en Paraguay. En Electromer contamos con componentes de calidad para tus proyectos. Si necesitás asistencia técnica, nuestro equipo te ayudará con gusto.

Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de alta potencia NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor de potencia 2N3055 de alta capacidad

• Tipo de encapsulado físico: TO-3 (Encapsulado metálico hermético de alta disipación térmica)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 60 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 100 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 7 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 15 A

• Corriente máxima de Base continua (IB): Capacidad de entrada de corriente de hasta 7 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica superior de 115 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 20 a 70 (medido a IC = 4 A)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida de 1,1 V máximo (medido a IC = 4 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral de 1,8 V máximo (medido a IC = 4 A)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 2,5 MHz

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 1,52°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -65°C hasta +200°C

• Disposición del patillaje (Visto desde abajo): Pin 1 Base, Pin 2 Emisor, Carcasa metálica Colector

• Áreas de aplicación recomendadas: Fuentes de alimentación reguladas, amplificadores de audio de potencia, convertidores DC-DC, inversores de tensión y control de motores de gran consumo