Transistor S9012 PNP

Descripción

Código: TRAS901201

El Transistor S9012 PNP es un semiconductor bipolar de unión para media potencia. Además, este componente de silicio destaca por su buena linealidad. Por este motivo, resulta ideal para amplificadores de audio en Paraguay.

Beneficios del Transistor S9012 PNP en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una alta disipación de potencia. Por lo tanto, proporciona una respuesta de sonido sumamente limpia. De esta manera, facilitás la fabricación de etapas push-pull y radios portátiles.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en amplificadores de propósito general.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor S9012 PNP de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emitter (Emisor)

• Pin 2 (Centro): Base

• Pin 3 (Derecha): Collector (Colector)

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la línea positiva de alimentación. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre el Colector y la masa.

Amplificación de bajo ruido y par complementario

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor S9012 PNP actúa como par complementario del S9013. De este modo, podés resolver circuitos de audio de hasta 1W a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de pequeña y media potencia PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor S9012 PNP (Par complementario NPN S9013)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -25 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -40 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -500 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 625 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación situado entre 64 y 300 (subgrupos D, E, F, G, H)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida típica de -0,6 V (medido a IC = -500 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de -1,2 V (medido a IC = -500 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 150 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Base, Pin 3 Colector

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificador de audio (hasta 1 W en configuración push-pull clase B), etapas de salida de radios portátiles, amplificación de potencia general y proyectos de electrónica básica