Transistor 13001 NPN

Descripción

Código: TRA1300101

El Transistor 13001 NPN es un semiconductor bipolar de unión para alta tensión. Además, este componente de silicio destaca por su elevado voltaje de ruptura. Por este motivo, resulta ideal para fuentes conmutadas SMPS en Paraguay.

Beneficios del Transistor 13001 NPN en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo soporta tensiones colector-emisor de 400 V. Por lo tanto, ofrece una respuesta eléctrica muy estable ante picos de red. De esta manera, facilitas la fabricación de cargadores y pequeños balastos.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de entrada de potencia.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor 13001 NPN de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la referencia de masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de activación mediante una resistencia calculada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre la línea positiva y el Colector.

Amplificación de alta tensión y conmutación económica

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor 13001 NPN conmuta cargas de potencia con alta eficiencia. De este modo, podés resolver reparaciones de fuentes a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de alta tensión NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor 13001 NPN (Conocido universalmente como MJE13001 o 3DD13001)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 400 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 600 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 9 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 500 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica típica de 600 mW a 750 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación típico de 15 a 40 (medido a IC = 100 mA)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida de máximo 0,5 V (medido a IC = 100 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral máximo de 1,2 V (medido a IC = 100 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 5 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), cargadores de baja potencia, balastos electrónicos, etapas de entrada de alta tensión e interruptores de potencia