Transistor 2N2907 NPN

Descripción

Código: TRA2N29001

El Transistor 2N2907 PNP es un semiconductor bipolar de unión para baja potencia. Además, este componente de silicio destaca por su bajo nivel de ruido. Por este motivo, resulta ideal para proyectos de electrónica general en Paraguay.

Beneficios del Transistor 2N2907 PNP en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una capacidad de corriente de 600 mA. Por lo tanto, proporciona una respuesta de conmutación rápida y muy limpia. De esta manera, facilitas la fabricación de preamplificadores e interruptores electrónicos.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de entrada de señal.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor 2N2907 PNP de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emisor

• Pin 2 (Centro): Base

• Pin 3 (Derecha): Colector

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la línea positiva de alimentación. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre el Colector y la masa.

Amplificación de bajo ruido y conmutación económica

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor 2N2907 PNP maneja pequeñas cargas con alta eficiencia. De este modo, podés resolver proyectos escolares y profesionales a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media/baja PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor 2N2907 PNP (Complementario del NPN 2N2222)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -40 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -60 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -600 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 625 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación amplio situado entre 100 y 300

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida típica de -0,4 V (medido a IC = -150 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de -1,3 V (medido a IC = -150 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 200 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Base, Pin 3 Colector

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de señal de baja potencia, etapas de entrada de amplificadores, preamplificadores de audio, interruptores electrónicos y proyectos de electrónica básica