Transistor BC548 NPN

Descripción

Código: TRABC54801

El Transistor BC548 NPN es un semiconductor bipolar de unión para baja potencia. Además, este componente de silicio destaca por su bajo nivel de ruido. Por este motivo, resulta ideal para proyectos de electrónica general en Paraguay.

Beneficios del Transistor BC548 NPN en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una ganancia de corriente continua muy lineal. Por lo tanto, proporciona una respuesta de amplificación sumamente limpia. De esta manera, facilitas la fabricación de preamplificadores e interrupciones electrónicas.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de entrada de señal.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor BC548 NPN de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Colector

• Pin 2 (Centro): Base

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la referencia de masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre la línea positiva y el Colector.

Amplificación de bajo ruido y conmutación económica

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor BC548 NPN maneja pequeñas cargas con alta eficiencia. De este modo, podés resolver proyectos escolares y profesionales a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de baja potencia NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor BC548 NPN para amplificación de señal y conmutación

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 40 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 50 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 100 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 750 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación amplio situado entre 150 y 630

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida típica de 0,25 V (medido a IC = 100 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de 0,7 V (medido a IC = 10 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 300 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Colector, Pin 2 Base, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de señal de baja potencia, etapas de entrada de amplificadores, preamplificadores de audio, interruptores electrónicos y proyectos de electrónica básica