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Características Generales Tipo: TRIAC de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: Bidireccional Material: Silicio Valores Máximos Absolutos VDRM/VRRM (Voltaje de bloqueo repetitivo): 600V (típico) IT(RMS) (Corriente RMS en estado encendido): 4A (típico) I2t (Energía de conmutación): Especificado en la hoja de datos (depende de las condiciones) Temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C Temperatura de almacenamiento: -65°C a…
Características Generales Tipo: Transistor PNP de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 45V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector Continua): 4A Pc (Potencia de Colector): 36W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas…
Características Generales Tipo: Transistor NPN de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 60V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector Continua): 2A Pc (Potencia de Colector): 25W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas…
Características Generales Tipo: Transistor PNP de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -45V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Pc (Potencia de Colector): 1.25W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas (@…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio También conocido como: 2SC13003, C13003 Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 400V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 500V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Ic pico: 3A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de…
Características Generales Tipo: PNP Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Complementario: D237 (NPN) Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): -2A Ic pico: -3A Ib (Corriente de Base): -0.3A Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 2A Ic pico: 3A Ib (Corriente de Base): 0.3A Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 100V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 120V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Ic pico: 3A Ib (Corriente de Base): 0.3A Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 60V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 80V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 2A Ic pico: 4A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 20W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…
Características Generales Tipo: SCR (Rectificador Controlado de Silicio) Encapsulado: TO-126 Material: Silicio Tipo de Control: Disparo por Compuerta Valores Máximos Absolutos VDRM/VRRM (Voltaje Pico Repetitivo Directo/Inverso): 400V IT(RMS) (Corriente RMS): 4A ITSM (Corriente Pico no Repetitiva): 25A @ 60Hz IGT (Corriente de Disparo de Compuerta): 200μA máx @ VD=12V VGT (Voltaje de Disparo de Compuerta):…
Características Generales Tipo: PNP Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Complementario: BD139 (NPN) Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -80V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -80V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): -1.5A Ic pico: -2A Ib (Corriente de Base): -0.2A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -65°C…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Complementario: BD140 (PNP) Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 80V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 80V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Ic pico: 2A Ib (Corriente de Base): 0.2A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -65°C…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 30V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 3A Ic pico: 5A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 30W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 40V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 3A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -65°C a +150°C Características Eléctricas (@…
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