Transistor B772 TO-126

Descripción

Código: TRAB772X01

El Transistor B772 TO-126 es un semiconductor PNP de potencia media. Además, este componente de silicio destaca por su alta capacidad de corriente. Por este motivo, resulta ideal para fuentes de alimentación en Paraguay.

Beneficios del Transistor B772 TO-126 en circuitos de potencia

Por un lado, este dispositivo maneja corrientes continuas elevadas. Por lo tanto, ofrece una respuesta eléctrica muy estable. De esta manera, facilitás la fabricación de reguladores de voltaje y conmutadores.

Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores. Por esta razón, su uso evita fallas en circuitos de audio de potencia media.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor B772 TO-126 de frente, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la línea positiva. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, la carga se ubica entre el Colector y la masa.

Uso en conmutación de potencia y regulación de voltaje

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor B772 TO-126 ofrece un rendimiento térmico superior. De este modo, podés resolver fallas en módulos de potencia con un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor B772 TO-126 (Conocido universalmente como 2SB772)

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -40 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -60 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -3 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 12,5 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 100 a 300 (a IC = -0,5 A)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída máxima de -0,5 V (medido a IC = -1 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Caída máxima de -1,2 V (medido a IC = -1 A)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 3 MHz

• Tiempos de conmutación típicos: Tiempo de encendido (TON) 0,5 µs, almacenamiento (TS) 1,5 µs y caída (TF) 0,5 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 10°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 62,5°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -65°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de propósito general, conmutación de potencia media, regulación de voltaje, circuitos de audio y fuentes de alimentación