Transistor BD238 TO-126

Descripción

Código: TRABD23801

El Transistor BD238 TO-126 es un semiconductor PNP de potencia media. Además, este componente de silicio destaca por su robustez. Por este motivo, resulta ideal para amplificadores y fuentes en Paraguay.

Beneficios del Transistor BD238 TO-126 en circuitos de potencia

Por un lado, este dispositivo maneja corrientes continuas elevadas. Por lo tanto, ofrece una respuesta térmica muy estable. De esta manera, facilitás la fabricación de etapas push-pull y fuentes simétricas.

Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores. Por esta razón, su uso evita fallas en drivers de relés y controladores.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor BD238 TO-126 de frente, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la línea positiva. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, la carga se ubica entre el Colector y la masa.

Uso en amplificadores de audio y etapas complementarias

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor BD238 TO-126 funciona como pareja complementaria del BD237. De este modo, podés resolver fallas en circuitos simétricos con un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor BD238 TO-126 (Complementario NPN BD237 / D237)

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -45 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -60 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -2 A (pico de -3 A)

• Corriente máxima de Base continua (IB): Capacidad de entrada de corriente de hasta -0,3 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 15 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 40 a 250 (a IC = -0,5 A) y mínimo de 25 (a IC = -1 A)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída máxima de -0,5 V (medido a IC = -1 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Caída máxima de -1,2 V (medido a IC = -1 A)

• Tensión Base-Emisor en conducción (VBEON): Tensión típica de -1,0 V (medido a IC = -1 A)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 3 MHz

• Tiempos de conmutación típicos: Tiempo de encendido (TON) 0,5 µs, almacenamiento (TS) 1,2 µs y caída (TF) 0,4 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 8,33°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 62,5°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de potencia media, circuitos push-pull, fuentes simétricas, drivers de relés, control industrial y etapas complementarias con BD237