Transistor BD237 TO-126

Código: TRABD23701

El Transistor BD237 TO-126 por un lado, este dispositivo maneja corrientes continuas elevadas. Por lo tanto, ofrece una respuesta térmica muy estable. De esta manera, facilitas la fabricación de etapas de salida y fuentes simétricas.

Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores. Por esta razón, su uso evita fallas en drivers de relés y controladores.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor BD237 TO-126 de frente, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, la carga se ubica entre el positivo y el Colector.

Uso en amplificadores de audio y control industrial

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor BD237 TO-126 funciona como pareja complementaria del BD238. De este modo, podés resolver fallas en circuitos de audio con un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor BD237 TO-126 (Complementario PNP BD238 / D238)

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 45 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 60 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 2 A (pico de 3 A)

• Corriente máxima de Base continua (IB): Capacidad de entrada de corriente de hasta 0,3 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 15 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 40 a 250 (a IC = 0,5 A) y mínimo de 25 (a IC = 1 A)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída máxima de 0,5 V (medido a IC = 1 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Caída máxima de 1,2 V (medido a IC = 1 A)

• Tensión Base-Emisor en conducción (VBEON): Tensión típica de 1,0 V (medido a IC = 1 A)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 3 MHz

• Tiempos de conmutación típicos: Tiempo de encendido (TON) 0,5 µs, almacenamiento (TS) 1,2 µs y caída (TF) 0,4 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 8,33°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 62,5°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de potencia media, circuitos de conmutación, fuentes de alimentación, control de cargas resistivas, drivers de relés, control industrial y de motores DC