Transistor C106 TO-126
₲5.000
Descripción
Código: TRAC106X01
El Transistor C106 TO-126 es un rectificador controlado de silicio para corriente alterna. Además, este semiconductor destaca por su elevada sensibilidad de disparo por compuerta. Por este motivo, resulta ideal para proyectos de control en Paraguay.
Beneficios del Transistor C106 TO-126 en control de potencia
Por un lado, este dispositivo activa cargas elevadas con microamperios. Por lo tanto, se pilotea directamente desde circuitos lógicos de baja potencia. De esta manera, facilitas la fabricación de dimmers y temporizadores.
Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores metálicos. Por esta razón, su uso evita fallas en controladores de calefactores.
Guía práctica de conexión y patillaje
Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor C106 TO-126 de frente, los pines son:
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Pin 1 (Izquierda): Compuerta (Gate / G)
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Pin 2 (Centro): Cátodo (K)
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Pin 3 (Derecha): Ánodo (A)
Por un lado, tenés que conectar la carga en serie con el Ánodo. Por otro lado, el Cátodo se conecta a la referencia de masa. Finalmente, la Compuerta recibe el pulso de activación limitando la corriente.
Uso en control de fase y protección industrial
En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor C106 TO-126 ofrece alta inmunidad al ruido eléctrico. De este modo, podés implementar circuitos de protección con un costo muy bajo.
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Características técnicas
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Tipo de componente: Rectificador controlado de silicio de estado sólido (SCR – Tiristor de potencia)
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Nombre de modelo comercial: Transistor C106 TO-126 para conmutación y control de fase en CA
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Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)
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Tensión pico repetitiva en bloqueo (VDRM / VRRM): Soporte máximo de tensión directa e inversa de 400 V
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Corriente eficaz en estado activo (IT RMS): Capacidad de conducción continua de hasta 4 A
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Corriente de pico no repetitiva (ITSM): Tolerancia de sobretensión de hasta 25 A (a 60 HZ)
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Corriente de disparo de compuerta (IGT): Sensibilidad de activación de máximo 200 µA (a VD = 12 V)
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Tensión de disparo de compuerta (VGT): Voltaje de umbral de activación de 0,8 V típico
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Potencia promedio de compuerta (PG AV): Límite térmico de entrada en compuerta de 0,5 W
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Potencia total de disipación (PC): Capacidad de disipación térmica de 12 W con caja a 25°C
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Corriente de mantenimiento y enganche (IH / IL): Corriente IH de máximo 5 mA y corriente IL típica de 8 mA
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Inmunidad contra picos (dV/dt crítico): Tolerancia de gradiente mayor a 50 V/µs
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Caída de voltaje en conducción (VTM): Tensión directa máxima de 1,7 V (medido a IT = 4 A)
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Tiempos de conmutación (TGT / TQ): Tiempo de activación típico de 2 µs y apagado típico de 100 µs
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Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 3,5°C/W
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Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 62,5°C/W
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Rango de temperatura de operación: Funcionamiento ambiental estable desde -40°C hasta +125°C
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Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Compuerta (G), Pin 2 Cátodo (K), Pin 3 Ánodo (A)
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Áreas de aplicación recomendadas: Control de motores de CA, dimmers de iluminación, control de calefactores, fuentes controladas, protección contra sobrevoltaje y relés de estado sólido



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