Transistor 13003 TO-126

Descripción

Código: TRA1300301

El Transistor 13003 TO-126 es un semiconductor NPN de alta tensión. Además, este componente de silicio destaca por su velocidad. Por este motivo, resulta ideal para fuentes conmutadas SMPS en Paraguay.

Beneficios del Transistor 13003 TO-126 en circuitos de potencia

Por un lado, este dispositivo soporta picos de tensión muy elevados. Por lo tanto, ofrece una respuesta eléctrica muy estable. De esta manera, facilitás la fabricación de convertidores e inversores.

Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores. Por esta razón, su uso evita fallas en transformadores.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor 13003 TO-126 de frente, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, la carga se ubica entre el positivo y el Colector.

Uso en fuentes conmutadas e inversores

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor 13003 TO-126 tolera sobretensiones sin problemas. De este modo, podés resolver fallas con un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia NPN para alta tensión

• Nombre de modelo comercial: Transistor 13003 TO-126 (Conocido universalmente como 2SC13003 o C13003)

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 400 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 500 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 1,5 A (pico de 3 A)

• Corriente máxima de Base continua (IB): Capacidad de entrada de corriente de hasta 0,5 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 12,5 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 20 a 100 (a IC = 0,1 A) y mínimo de 8 (a IC = 1 A)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída máxima de 0,6 V (medido a IC = 0,5 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Caída máxima de 1,2 V (medido a IC = 0,5 A)

• Tensión Base-Emisor en conducción (VBEON): Tensión típica de 1,0 V (medido a IC = 0,5 A)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 4 MHz

• Tiempos de conmutación típicos: Tiempo de encendido (TON) 0,3 µs, almacenamiento (TS) 0,8 µs y caída (TF) 0,3 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 10°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 62,5°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de application recomendadas: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, inversores, circuitos de deflexión horizontal, drivers de transformadores y control de cargas inductivas