Transistor D882 TO-126

Descripción

Código: TRAD882X01

El Transistor D882 TO-126 es un semiconductor NPN de potencia media. Además, este componente de silicio destaca por su alta capacidad de corriente. Por este motivo, resulta ideal para drivers de motores y fuentes en Paraguay.

Beneficios del Transistor D882 TO-126 en circuitos de potencia

Por un lado, este dispositivo maneja picos de corriente significativos. Por lo tanto, ofrece una respuesta eléctrica muy estable. De esta manera, facilitás la fabricación de reguladores de voltaje y conmutadores.

Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores. Por esta razón, su uso evita fallas en circuitos de audio de potencia media.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor D882 TO-126 de frente, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, la carga se ubica entre el positivo y el Colector.

Uso en conmutación de potencia y drivers de motores

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor D882 TO-126 ofrece un rendimiento térmico superior. De este modo, podés resolver fallas en módulos de potencia con un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor D882 TO-126 (Conocido universalmente como 2SD882)

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 30 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 60 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 3 A (pico de 5 A)

• Corriente máxima de Base continua (IB): Capacidad de entrada de corriente de hasta 0,5 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 30 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 40 a 320 (a IC = 0,5 A)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída máxima de 0,4 V (medido a IC = 2 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Caída máxima de 1,0 V (medido a IC = 2 A)

• Tensión Base-Emisor en conducción (VBEON): Tensión típica de 1,0 V (medido a IC = 2 A)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 4 MHz

• Tiempos de conmutación típicos: Tiempo de encendido (TON) 0,3 µs, almacenamiento (TS) 1,2 µs y caída (TF) 0,3 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 4,17°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 62,5°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de potencia media, conmutación de potencia, reguladores de voltaje, drivers de motores DC, fuentes de alimentación conmutadas y circuitos de audio