Transistor B649 TO-126

Descripción

Código: TRAB649X01

El Transistor B649 TO-126 es un semiconductor NPN de alto voltaje. Además, este componente de silicio destaca por su velocidad. Por este motivo, resulta ideal para reguladores y fuentes en Paraguay.

Beneficios del Transistor B649 TO-126 en circuitos de potencia

Por un lado, este dispositivo soporta tensiones continuas elevadas. Por lo tanto, ofrece una respuesta eléctrica muy estable. De esta manera, facilitás la fabricación de circuitos de protección y relés.

Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores. Por esta razón, su uso evita fallas en cargas inductivas y solenoides.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor B649 TO-126 de frente, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, la carga se ubica entre el positivo y el Colector.

Uso en reguladores y conmutación industrial

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor B649 TO-126 soporta picos sin problemas. De este modo, podés resolver fallas en módulos industriales con un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor B649 TO-126 (Conocido universalmente como 2SB649)

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 100 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 120 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 1,5 A (pico de 3 A)

• Corriente máxima de Base continua (IB): Capacidad de entrada de corriente de hasta 0,3 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 15 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 40 a 200 (a IC = 0,5 A) y mínimo de 20 (a IC = 1 A)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída máxima de 0,6 V (medido a IC = 1 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Caída máxima de 1,2 V (medido a IC = 1 A)

• Tensión Base-Emisor en conducción (VBEON): Tensión típica de 1,0 V (medido a IC = 1 A)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 4 MHz

• Tiempos de conmutación típicos: Tiempo de encendido (TON) 0,4 µs, almacenamiento (TS) 1,0 µs y caída (TF) 0,3 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 8,33°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 62,5°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de potencia media, fuentes de alimentación lineales, reguladores de voltaje, drivers de relés y solenoides, control de cargas inductivas y circuitos de protección