Transistor BD136 TO-126

Descripción

Código: TRABD13601

El Transistor BD136 TO-126 es un semiconductor bipolar PNP de silicio diseñado para aplicaciones de potencia media. Este dispositivo robusto destaca por conmutar corrientes elevadas y manejar amplificaciones con alta eficiencia en el taller. Por este motivo, su implementación es una solución clave para reparar etapas de salida en Paraguay.

La principal ventaja operativa de este componente de polaridad PNP radica en su baja tensión de saturación. El Transistor BD136 TO-126 minimiza las pérdidas térmicas durante la conducción continua de corriente sobre tu chasis. De esta manera, facilitas la construcción de controladores de potencia y pares complementarios muy eficientes en el panel.

Asimismo, la estructura física de su encapsulado compacto permite un acoplamiento directo sobre disipadores metálicos de calor. El Transistor BD136 TO-126 evacúa eficazmente la temperatura generada durante ciclos de trabajo intensos en el laboratorio. En consecuencia, su uso continuo previene fallas en fuentes de alimentación y circuitos de audio.

Guía práctica de conexión y patillaje para montajes seguros

Para utilizar este componente de forma correcta, es fundamental identificar los tres terminales del encapsulado plástico estándar. Mirando el Transistor BD136 TO-126 de frente con su cara impresa hacia vos y las patas apuntando abajo, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emisor

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Base

En aplicaciones de conmutación o regulación de potencia PNP, tenés que conectar el Emisor hacia la línea positiva de alimentación. La Base recibe la señal de control a través de una resistencia limitadora calculada para la activación. Por último, la carga se coloca conectada en serie entre el Colector y la referencia de masa.

Respuesta dinámica eficiente para amplificadores y conmutadores

Para resumir, esta pieza de electrónica de potencia representa la inversión más conveniente para equipar tu banco de mantenimiento. El Transistor BD136 TO-126 responde con alta velocidad ante transitorios manteniendo una excelente relación rendimiento y precio. De este modo, su uso te permite resolver reemplazos de potencia media con un costo accesible.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media de polaridad PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor BD136 TO-126 para amplificación e impulsión de cargas

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -45 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -45 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -1,5 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 1,25 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación típico situado entre 50 y 150

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida de -0,2 V a -0,4 V (medido a IC = -1 A)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral de -0,7 V a -0,9 V (medido a IC = -1 A)

• Tensión Base-Emisor en conducción (VBEON): Rango típico de -0,6 V a -0,8 V (medido a IC = -1 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico de 3 MHz

• Tiempos de conmutación aproximados (TON, TS, TF): Respuesta rápida de conmutación de 1 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Transferencia térmica eficiente de 5°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 35°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Colector, Pin 3 Base

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificadores de audio y controladores, circuitos complementarios, aplicaciones lineales y conmutación de potencia media