Transistor BD139 TO-126

Descripción

Código: TRABD13901

El Transistor BD139 TO-126 es un semiconductor NPN de potencia media. Además, este componente de silicio destaca por su linealidad. Por este motivo, resulta ideal para amplificadores y fuentes en Paraguay.

Beneficios del Transistor BD139 TO-126 en circuitos de potencia

Por un lado, este dispositivo soporta tensiones de trabajo elevadas. Por lo tanto, ofrece una respuesta eléctrica muy estable. De esta manera, facilitas la fabricación de etapas push-pull y fuentes simétricas.

Asimismo, su encapsulado compacto ayuda a disipar el calor. En consecuencia, la temperatura fluye rápido hacia los disipadores. Por esta razón, su uso evita fallas en reguladores y controladores.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas del encapsulado plástico. Si mirás el Transistor BD139 TO-126 de frente, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Base

• Pin 2 (Centro): Colector

• Pin 3 (Derecha): Emisor

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de control. Finalmente, la carga se ubica entre el positivo y el Colector.

Uso en amplificadores de audio y etapas complementarias

En conclusión, esta pieza representa una excelente inversión para tu taller. Por ejemplo, el Transistor BD139 TO-126 funciona como pareja complementaria del BD140. De este modo, podés resolver fallas en circuitos de audio con un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia media NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor BD139 TO-126 (Complementario PNP BD140)

• Tipo de encapsulado físico: TO-126 (Encapsulado compacto de plástico Through-Hole de 8,7 mm x 6,4 mm x 2,5 mm)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 80 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 80 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 1,5 A (pico de 2 A)

• Corriente máxima de Base continua (IB): Capacidad de entrada de corriente de hasta 0,2 A

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 12,5 W con caja a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación de 40 a 250 (a IC = 150 mA) y mínimo de 25 (a IC = 500 mA)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída máxima de 0,5 V (medido a IC = 500 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Caída máxima de 1 V (medido a IC = 500 mA)

• Tensión Base-Emisor en conducción (VBEON): Tensión típica de 1 V (medido a IC = 500 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 50 MHz

• Capacitancia Colector-Base (CCBO): Capacitancia típica de salida de 15 pF

• Tiempos de conmutación típicos: Tiempo de encendido (TON) 0,4 µs, almacenamiento (TS) 0,8 µs y caída (TF) 0,3 µs

• Resistencia térmica juntura-cápsula (RTHJC): Coeficiente de transferencia térmica de 10°C/W

• Resistencia térmica juntura-ambiente (RTHJA): Coeficiente sin disipador de 100°C/W

• Rango de temperatura de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -65°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Base, Pin 2 Colector, Pin 3 Emisor

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de audio, etapas drivers, fuentes de alimentación lineales, reguladores de voltaje, etapas de salida complementarias con BD140, amplificación de propósito general y conmutación