Transistor 2N3906 PNP

Descripción

Código: TRA2N39001

El Transistor 2N3906 PNP es un semiconductor bipolar de unión para baja potencia. Además, este componente de silicio destaca por su bajo nivel de ruido. Por este motivo, resulta ideal para proyectos de electrónica general en Paraguay.

Beneficios del Transistor 2N3906 PNP en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una respuesta de conmutación muy rápida. Por lo tanto, proporciona un rendimiento excelente en circuitos lógicos. De esta manera, facilitas la fabricación de preamplificadores e interruptores electrónicos.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de salida de baja potencia.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor 2N3906 PNP de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emitter (Emisor)

• Pin 2 (Centro): Base

• Pin 3 (Derecha): Collector (Colector)

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la línea positiva de alimentación. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre el Colector y la masa.

Amplificación de bajo ruido y par complementario

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor 2N3906 PNP actúa como par complementario del 2N3904. De este modo, podés resolver proyectos escolares y profesionales a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de pequeña señal PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor 2N3906 PNP (Par complementario NPN 2N3904)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -40 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -60 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -200 mA

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica de 625 mW a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación situado entre 100 y 300 (medido a IC = -10 mA)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida típica de -0,25 V (medido a IC = -50 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de -0,85 V (medido a IC = -50 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 250 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Base, Pin 3 Colector

• Áreas de aplicaciones recomendadas: Amplificación de pequeña señal, etapas de salida de baja potencia, interruptores electrónicos, etapas de audio complementarias con 2N3904 y proyectos de electrónica básica