Transistor S8550 PNP

Descripción

Código: TRAS855001

El Transistor S8550 PNP es un semiconductor bipolar de unión para baja potencia. Además, este componente de silicio destaca por su alta ganancia. Por este motivo, resulta ideal para amplificadores de audio en Paraguay.

Beneficios del Transistor S8550 PNP en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una ganancia de corriente continua muy lineal. Por lo tanto, proporciona una respuesta de sonido sumamente limpia. De esta manera, facilitás la fabricación de etapas push-pull y radios portátiles.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en interruptores electrónicos de baja tensión.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor S8550 PNP de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emitter (Emisor)

• Pin 2 (Centro): Base

• Pin 3 (Derecha): Collector (Colector)

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la línea positiva de alimentación. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre el Colector y la masa.

Amplificación de bajo ruido y par complementario

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor S8550 PNP actúa como par complementario del S8050. De este modo, podés resolver circuitos de audio a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de pequeña/media potencia PNP

• Nombre de modelo comercial: Transistor S8550 PNP (Par complementario NPN S8050)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de -25 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en -40 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de -5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta -500 mA (pico de -1 A)

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica típica de 300 mW a 625 mW (según versión) a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación situado entre 85 y 300 (subgrupos B, C, D)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida típica de -0,35 V (medido a IC = -500 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de -1,2 V (medido a IC = -500 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 150 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Base, Pin 3 Colector

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de audio de baja potencia (hasta 1 W en Clase B push-pull), etapas de salida de radios portátiles, amplificadores de propósito general, interruptores electrónicos y proyectos de electrónica básica