Transistor S8050 NPN

Descripción

Código: TRAS805001

El Transistor S8050 NPN es un semiconductor bipolar de unión para baja potencia. Además, este componente de silicio destaca por su elevada ganancia. Por este motivo, resulta ideal para amplificadores de audio en Paraguay.

Beneficios del Transistor S8050 NPN en pequeños circuitos

Por un lado, este dispositivo ofrece una baja tensión de saturación. Por lo tanto, proporciona un rendimiento energético altamente eficiente. De esta manera, facilitas la fabricación de controladores de motores e interruptores.

Asimismo, su formato compacto TO-92 simplifica el armado sobre protoboard. En consecuencia, la instalación resulta rápida en maquetas de pruebas y laboratorios. Por esta razón, su uso previene fallas en etapas de salida de audio.

Guía práctica de conexión y patillaje

Para empezar, identificá las tres patillas de su encapsulado plástico estándar. Si mirás el Transistor S8050 NPN de frente con su cara plana hacia vos, los pines son:

• Pin 1 (Izquierda): Emitter (Emisor)

• Pin 2 (Centro): Base

• Pin 3 (Derecha): Collector (Colector)

Por un lado, tenés que conectar el Emisor a la referencia de masa. Por otro lado, la Base recibe la señal de entrada mediante una resistencia adecuada. Finalmente, la carga se ubica en serie entre la línea positiva y el Colector.

Amplificación de bajo ruido y par complementario

En conclusión, esta pieza versátil representa la inversión más conveniente para tu taller. Por ejemplo, el Transistor S8050 NPN actúa como par complementario del S8550. De este modo, podés resolver amplificadores de hasta 1W a un costo muy bajo.

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Características técnicas

• Tipo de componente: Transistor bipolar de unión (BJT) de pequeña y media potencia NPN

• Nombre de modelo comercial: Transistor S8050 NPN (Par complementario PNP S8550)

• Tipo de encapsulado físico: TO-92 (Encapsulado plástico Through-Hole compacto y popular)

• Tensión máxima Colector-Emisor (VCEO): Tensión límite de bloqueo de 25 V

• Tensión máxima Colector-Base (VCBO): Tensión de ruptura límite fijada en 40 V

• Tensión máxima Emisor-Base (VEBO): Tensión de umbral inverso de 5 V

• Corriente máxima de Colector continua (IC): Capacidad de conducción continua de hasta 500 mA (0.5 A)

• Potencia máxima de Colector (PC): Disipación térmica típica de 625 mW a 1 W (según versión) a 25°C

• Ganancia de corriente continua (HFE): Rango de amplificación situado entre 85 y 300 (subgrupos B, C, D)

• Tensión de saturación Colector-Emisor (VCESAT): Caída reducida típica de 0,35 V (medido a IC = 500 mA)

• Tensión de saturación Base-Emisor (VBESAT): Umbral típico de 1,2 V (medido a IC = 500 mA)

• Frecuencia de transición típica (FT): Ancho de banda dinámico operativo de 100 MHz

• Rango térmico de operación y almacenamiento: Rango térmico desde -55°C hasta +150°C

• Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Emisor, Pin 2 Base, Pin 3 Colector

• Áreas de aplicación recomendadas: Amplificación de potencia de audio (hasta 1 W en Clase B), etapas de salida de baja potencia, control de motores pequeños, interruptores electrónicos y proyectos de electrónica básica