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TEC1-12708 40*40 Tipo de Chip: TEC1-12708 Dimensiones externas: 40x40x3,5mm Resistencia interna:1,5 ~ 1,8 Ω (23 + / – 1 grado, prueba de CA de 1 KHZ de temperatura ambiente) La mayor diferencia de temperatura: delta Tmax (Qc = 0) más de 67 grados. Corriente de funcionamiento: Imax = 8 (Arranque de voltaje nominal) Voltaje nominal:…
Zumbador electrónico piezoeléctrico duradero de 3-24V, alarma SFM20B 95DB. Color negro Cantidad: 1 unidad Diámetro de la alarma: 22 mm/0,86″ Altura de la alarma: 10 mm/0,39″ Distancia de 2 orificios de montaje: 30 mm/1,18″ Longitud de 2 cables: 90 mm/3,54″ Tipo de zumbador: Piezoeléctrico Nivel de presión sonora 95 dB Voltaje nominal: 12 V CC…
Fusible de recuperación automática de protección contra sobrecorriente de 500mA a bordo. Admite fuente de alimentación de 5V y 3,3 V para la placa de destino No es necesario instalar el controlador Autoaplicable y autoajustable Es adecuado para ordenadores win8.1 / 8 / 7/XP 32-bit / 64bit. El producto se puede conectar directamente con el…
Disipador de calor de aluminio extruido para refrigeración. Material: Aluminio 6063-T5 Color: Blanco Método de procesamiento: extruido Medidas: 80mmx80mmx7mm
Características Técnicas Principales Modelo: WZP-291 Tipo de sensor: PT100 (RTD – resistencia de platino 100 Ω a 0 °C) Rango de temperatura: -200 °C a +450 °C Diámetro de la sonda: 5 mm Longitud de la sonda: 50 mm Rosca de montaje: M8 Material del tubo: Acero inoxidable (normalmente SS304 o SS316) Longitud del cable: 3 metros, cable blindado…
Fresa: 1.0mm Material: carburo Diámetro de corte: 0,8 mm Diámetro del vástago: 3,175 mm (1/8 ») Longitud de corte: 7 mm Longitud total: 38 mm
Características Generales Tipo: Rectificador Controlado de Silicio (SCR) Encapsulado: TO-126 Polaridad: Unidireccional Material: Silicio Valores Máximos Absolutos VDRM/VRRM (Voltaje de bloqueo repetitivo): 600V (típico) IT(RMS) (Corriente RMS en estado encendido): 2A (típico) I2t (Energía de conmutación): Especificado en la hoja de datos (depende de las condiciones) Temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C Temperatura de almacenamiento:…
Características Generales Tipo: TRIAC de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: Bidireccional Material: Silicio Valores Máximos Absolutos VDRM/VRRM (Voltaje de bloqueo repetitivo): 600V (típico) IT(RMS) (Corriente RMS en estado encendido): 4A (típico) I2t (Energía de conmutación): Especificado en la hoja de datos (depende de las condiciones) Temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C Temperatura de almacenamiento: -65°C a…
Características Generales Tipo: Transistor PNP de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 45V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector Continua): 4A Pc (Potencia de Colector): 36W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas…
Características Generales Tipo: Transistor NPN de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 60V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector Continua): 2A Pc (Potencia de Colector): 25W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas…
Características Generales Tipo: Transistor PNP de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -45V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Pc (Potencia de Colector): 1.25W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas (@…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio También conocido como: 2SC13003, C13003 Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 400V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 500V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Ic pico: 3A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de…
Características Generales Tipo: PNP Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Complementario: D237 (NPN) Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): -2A Ic pico: -3A Ib (Corriente de Base): -0.3A Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C…
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