Transistor 50N06 TO-220
₲5.000
Descripción
Código: TRA50N0601
El Transistor 50N06 TO-220 es un conmutador de potencia tipo MOSFET de canal N de muy alta eficiencia. Este semiconductor destaca por su velocidad de conmutación y su resistencia interna extremadamente baja en estado activo. Por este motivo, su implementación es una solución clave para optimizar convertidores de energía en Paraguay.
La principal ventaja operativa de este transistor de efecto de campo radica en su capacidad para manejar corrientes elevadas. El Transistor 50N06 TO-220 disminuye de forma notable las pérdidas por disipación de calor sobre el chasis. De esta manera, facilitas la construcción de controladores de motores robustos y eficientes en el panel.
Asimismo, la estructura física de su encapsulado permite un acoplamiento térmico muy firme sobre disipadores metálicos de calor. El Transistor 50N06 TO-220 evacúa eficientemente la temperatura durante ciclos de trabajo intensos en el laboratorio. En consecuencia, su uso continuo previene fallas en inversores de potencia y sistemas de alimentación.
Guía práctica de conexión y patillaje para montajes seguros
Para utilizar este componente de forma correcta, es fundamental identificar los tres terminales del encapsulado plástico estándar. Mirando el Transistor 50N06 TO-220 de frente con su cara metálica hacia atrás y las patas apuntando abajo, los pines son:
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Pin 1 (Izquierda): Compuerta (Gate / G)
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Pin 2 (Centro): Drenaje (Drain / D) (unido internamente a la pestaña metálica posterior)
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Pin 3 (Derecha): Fuente (Source / S)
En aplicaciones de conmutación con canal N, tenés que conectar la Fuente a la referencia de masa del circuito. La Compuerta recibe la tensión de activación desde un driver adecuado para garantizar la saturación completa del canal. Por último, la carga se coloca conectada en serie entre la línea positiva y el Drenaje.
Alta velocidad de conmutación para inversores y fuentes conmutadas
Para resumir, esta pieza de electrónica de potencia representa una inversión sumamente inteligente para tus proyectos industriales. El Transistor 50N06 TO-220 responde con total precisión en sistemas de conmutación de alta frecuencia. De este modo, su uso continuo te permite manipular cargas de alta corriente sin generar caídas de tensión significativas.
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Características técnicas
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Tipo de componente: Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET de potencia canal N)
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Nombre de modelo comercial: Transistor 50N06 TO-220 para conmutación de alta velocidad y corriente
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Tipo de encapsulado físico: TO-220 (Encapsulado de plástico Through-Hole con aleta metálica para disipador)
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Tensión máxima Drenaje-Fuente (VDSS): Soporte límite de tensión de bloqueo de 60 V
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Corriente máxima de Drenaje continua (ID): Capacidad de conducción continua de hasta 50 A (medido a 25°C)
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Resistencia interna en conducción (RDSON): Valor ultra bajo de máximo 18 mΩ bajo saturación
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Tensión de umbral Compuerta-Fuente (VGSTH): Tensión de activación situada entre 2,0 V y 4,0 V
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Capacitancia de entrada típica (CISS): Capacitancia parásita reducida de aproximadamente 1800 pF
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Disipación de potencia total máxima (PTOT): Capacidad de disipación térmica continua de 110 W con disipador
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Rango de temperatura de operación (TJ): Funcionamiento térmico estable desde -55°C hasta +175°C
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Disposición del patillaje (Visto de frente): Pin 1 Compuerta (G), Pin 2 Drenaje (D), Pin 3 Fuente (S)
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Áreas de aplicación recomendadas: Reguladores de voltaje en fuentes conmutadas SMPS, controladores de motores de corriente continua, inversores de potencia, sistemas UPS y electrónica de automoción




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