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Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 30V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 3A Ic pico: 5A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 30W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…
Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 40V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 3A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -65°C a +150°C Características Eléctricas (@…
Número de modelo: Serie Precisión: ± 0.5% FS ± 1 °C Voltaje de suministro: 100-240Vac, 50/60Hz; Tipos de entrada: Termopar: K Tipos de salida: Relé electromagnético + SSR Suministro eléctrico AC100-240V (incluye 110VAC,220VAC) Método de control: PID, o encendido/apagado Salida de relé de estado sólido: Relé de estado sólido 40A: 1. Corriente de salida: 40A…
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