Transistor BD139 TO-126

Descripción

Características Generales

• Tipo: NPN Transistor de Silicio
• Encapsulado: TO-126
• Polaridad: NPN
• Material: Silicio
• Complementario: BD140 (PNP)

Valores Máximos Absolutos

• Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 80V
• Vcbo (Voltaje Colector-Base): 80V
• Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V
• Ic (Corriente de Colector): 1.5A
• Ic pico: 2A
• Ib (Corriente de Base): 0.2A
• Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C
• Temperatura de Operación: -65°C a +150°C
• Temperatura de Almacenamiento: -65°C a +150°C

Características Eléctricas (@ 25°C)

• hFE (Ganancia de corriente DC):
  • 40-250 @ Ic=150mA, Vce=5V
  • 25 mín @ Ic=500mA, Vce=5V
• VCE(sat) (Voltaje de saturación Colector-Emisor): 0.5V máx @ Ic=500mA
• VBE(sat) (Voltaje de saturación Base-Emisor): 1V máx @ Ic=500mA
• VBE(on) (Voltaje Base-Emisor en conducción): 1V @ Ic=500mA
• ft (Frecuencia de Transición): 50 MHz típico
• CCBO (Capacitancia Colector-Base): 15pF típico
• Tiempo de Conmutación (ton): 0.4μs típico
• Tiempo de Almacenamiento (ts): 0.8μs típico
• Tiempo de Caída (tf): 0.3μs típico

Características Térmicas

• Rθjc (Resistencia Térmica Juntura-Cápsula): 10°C/W
• Rθja (Resistencia Térmica Juntura-Ambiente): 100°C/W

Aplicaciones Típicas

• Amplificación de audio
• Etapas drivers
• Fuentes de alimentación lineales
• Amplificación de propósito general
• Circuitos de conmutación
• Reguladores de voltaje
• Etapas de salida complementarias (con BD140)

Dimensiones del Encapsulado TO-126

• Longitud: 8.7mm
• Ancho: 6.4mm
• Altura: 2.5mm
• Distribución de pines (de izquierda a derecha):
  1. Base
  2. Colector
  3. Emisor

Características Destacadas

• Alto voltaje de operación (80V)
• Buena ganancia de corriente
• Excelente linealidad
• Alta frecuencia de transición
• Ideal para aplicaciones de audio
• Disponible en par complementario con BD140