Transistor BD136 TO-126

Descripción

Características Generales

• Tipo: Transistor PNP de Silicio
• Encapsulado: TO-126
• Polaridad: PNP
• Material: Silicio

Valores Máximos Absolutos

• Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V
• Vcbo (Voltaje Colector-Base): -45V
• Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V
• Ic (Corriente de Colector): 1.5A
• Pc (Potencia de Colector): 1.25W @ Tc=25°C
• Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
• Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C

Características Eléctricas (@ 25°C)

• hFE (Ganancia de corriente DC): 50-150 (típico)
• VCE(sat) (Voltaje de saturación Colector-Emisor): 0.2V – 0.4V (máx @ Ic=1A)
• VBE(sat) (Voltaje de saturación Base-Emisor): 0.7V – 0.9V (máx @ Ic=1A)
• VBE(on) (Voltaje Base-Emisor en conducción): 0.6V – 0.8V (típico @ Ic=1mA)
• ft (Frecuencia de Transición): 3 MHz (típico)
• Tiempo de Conmutación (ton, ts, tf): 1 us (aproximado)

Características Térmicas

• Rθjc (Resistencia Térmica Juntura-Cápsula): 5°C/W (típico)
• Rθja (Resistencia Térmica Juntura-Ambiente): 35°C/W (típico)

Aplicaciones Típicas

• Amplificadores de audio y controladores
• Circuitos complementarios
• Aplicaciones lineales y de conmutación de potencia media

Dimensiones del Encapsulado TO-126

• Longitud: 8.7mm
• Ancho: 6.4mm
• Altura: 2.5mm