Transistor D882 TO-126

Descripción

Características Generales

• Tipo: NPN Transistor de Silicio
• Encapsulado: TO-126
• Polaridad: NPN
• Material: Silicio

Valores Máximos Absolutos

• Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 30V
• Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V
• Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V
• Ic (Corriente de Colector): 3A
• Ic pico: 5A
• Ib (Corriente de Base): 0.5A
• Pc (Potencia de Colector): 30W @ Tc=25°C
• Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
• Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C

Características Eléctricas (@ 25°C)

• hFE (Ganancia de corriente DC): 40-320 @ Ic=0.5A, Vce=4V
• VCE(sat) (Voltaje de saturación Colector-Emisor): 0.4V máx @ Ic=2A
• VBE(sat) (Voltaje de saturación Base-Emisor): 1.0V máx @ Ic=2A
• VBE(on) (Voltaje Base-Emisor en conducción): 1.0V @ Ic=2A
• ft (Frecuencia de Transición): 4 MHz típico
• Tiempo de Conmutación (ton): 0.3μs típico
• Tiempo de Almacenamiento (ts): 1.2μs típico
• Tiempo de Caída (tf): 0.3μs típico

Características Térmicas

• Rθjc (Resistencia Térmica Juntura-Cápsula): 4.17°C/W
• Rθja (Resistencia Térmica Juntura-Ambiente): 62.5°C/W

Aplicaciones Típicas

• Amplificación de potencia media
• Conmutación de potencia
• Reguladores de voltaje
• Drivers de motores DC
• Fuentes de alimentación conmutadas
• Circuitos de audio de potencia media

Dimensiones del Encapsulado TO-126

• Longitud: 8.7mm
• Ancho: 6.4mm
• Altura: 2.5mm
• Distribución de pines (de izquierda a derecha):
  1. Base
  2. Colector
  3. Emisor

Características Destacadas

• Alta capacidad de manejo de corriente
• Buen rendimiento térmico
• Excelente para aplicaciones de switching
• Compatible con diversos circuitos de potencia media