Transistor D238 TO-126

Descripción

Características Generales

• Tipo: PNP Transistor de Silicio
• Encapsulado: TO-126
• Polaridad: PNP
• Material: Silicio
• Complementario: D237 (NPN)

Valores Máximos Absolutos

• Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V
• Vcbo (Voltaje Colector-Base): -60V
• Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V
• Ic (Corriente de Colector): -2A
• Ic pico: -3A
• Ib (Corriente de Base): -0.3A
• Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C
• Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
• Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C

Características Eléctricas (@ 25°C)

• hFE (Ganancia de corriente DC):
  • 40-250 @ Ic=-0.5A, Vce=-4V
  • 25 mín @ Ic=-1A, Vce=-4V
• VCE(sat) (Voltaje de saturación Colector-Emisor): -0.5V máx @ Ic=-1A
• VBE(sat) (Voltaje de saturación Base-Emisor): -1.2V máx @ Ic=-1A
• VBE(on) (Voltaje Base-Emisor en conducción): -1.0V @ Ic=-1A
• ft (Frecuencia de Transición): 3 MHz típico
• Tiempo de Conmutación (ton): 0.5μs típico
• Tiempo de Almacenamiento (ts): 1.2μs típico
• Tiempo de Caída (tf): 0.4μs típico

Características Térmicas

• Rθjc (Resistencia Térmica Juntura-Cápsula): 8.33°C/W
• Rθja (Resistencia Térmica Juntura-Ambiente): 62.5°C/W

Aplicaciones Típicas

• Amplificación de potencia media
• Circuitos de conmutación
• Fuentes de alimentación
• Control de cargas resistivas
• Drivers de relés
• Circuitos de control industrial
• Amplificación de audio de potencia media
• Etapas complementarias con D237
• Circuitos push-pull
• Fuentes simétricas

Dimensiones del Encapsulado TO-126

• Longitud: 8.7mm
• Ancho: 6.4mm
• Altura: 2.5mm
• Distribución de pines (de izquierda a derecha):
  1. Base
  2. Colector
  3. Emisor

Características Destacadas

• Buena capacidad de manejo de corriente
• Ideal para configuraciones complementarias con D237
• Buena estabilidad térmica
• Robusto para aplicaciones industriales
• Excelente para circuitos simétricos
• Buena relación costo-rendimiento
• Versátil en aplicaciones de potencia media