Transistor B772 TO-126

Descripción

Características Generales

• Tipo: NPN Transistor de Silicio
• Encapsulado: TO-126
• Polaridad: NPN
• Material: Silicio

Valores Máximos Absolutos

• Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 40V
• Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V
• Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V
• Ic (Corriente de Colector): 3A
• Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C
• Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
• Temperatura de Almacenamiento: -65°C a +150°C

Características Eléctricas (@ 25°C)

• hFE (Ganancia de corriente DC): 100-300 @ Ic=0.5A, Vce=4V
• VCE(sat) (Voltaje de saturación Colector-Emisor): 0.5V máx @ Ic=1A
• VBE(sat) (Voltaje de saturación Base-Emisor): 1.2V máx @ Ic=1A
• ft (Frecuencia de Transición): 3 MHz típico
• Tiempo de Conmutación (ton): 0.5μs típico
• Tiempo de Almacenamiento (ts): 1.5μs típico
• Tiempo de Caída (tf): 0.5μs típico

Características Térmicas

• Rθjc (Resistencia Térmica Juntura-Cápsula): 10°C/W
• Rθja (Resistencia Térmica Juntura-Ambiente): 62.5°C/W

Aplicaciones Típicas

• Amplificación de propósito general
• Conmutación de potencia media
• Regulación de voltaje
• Circuitos de audio
• Fuentes de alimentación

Dimensiones del Encapsulado TO-126

• Longitud: 8.7mm
• Ancho: 6.4mm
• Altura: 2.5mm
• Distribución de pines (de izquierda a derecha):
  1. Base
  2. Colector
  3. Emisor