Transistor B649 TO-126

Descripción

Características Generales

• Tipo: NPN Transistor de Silicio
• Encapsulado: TO-126
• Polaridad: NPN
• Material: Silicio

Valores Máximos Absolutos

• Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 100V
• Vcbo (Voltaje Colector-Base): 120V
• Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V
• Ic (Corriente de Colector): 1.5A
• Ic pico: 3A
• Ib (Corriente de Base): 0.3A
• Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C
• Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
• Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C

Características Eléctricas (@ 25°C)

• hFE (Ganancia de corriente DC):
  • 40-200 @ Ic=0.5A, Vce=5V
  • 20 mín @ Ic=1A, Vce=5V
• VCE(sat) (Voltaje de saturación Colector-Emisor): 0.6V máx @ Ic=1A
• VBE(sat) (Voltaje de saturación Base-Emisor): 1.2V máx @ Ic=1A
• VBE(on) (Voltaje Base-Emisor en conducción): 1.0V @ Ic=1A
• ft (Frecuencia de Transición): 4 MHz típico
• Tiempo de Conmutación (ton): 0.4μs típico
• Tiempo de Almacenamiento (ts): 1.0μs típico
• Tiempo de Caída (tf): 0.3μs típico

Características Térmicas

• Rθjc (Resistencia Térmica Juntura-Cápsula): 8.33°C/W
• Rθja (Resistencia Térmica Juntura-Ambiente): 62.5°C/W

Aplicaciones Típicas

• Amplificación de potencia media
• Circuitos de conmutación
• Fuentes de alimentación lineales
• Reguladores de voltaje
• Drivers de relés y solenoides
• Control de cargas inductivas
• Circuitos de protección
• Amplificación de señales

Dimensiones del Encapsulado TO-126

• Longitud: 8.7mm
• Ancho: 6.4mm
• Altura: 2.5mm
• Distribución de pines (de izquierda a derecha):
  1. Base
  2. Colector
  3. Emisor

Características Destacadas

• Alto voltaje de operación (100V)
• Buena capacidad de manejo de potencia
• Ideal para aplicaciones de alto voltaje
• Robusto en aplicaciones inductivas
• Buena estabilidad térmica
• Adecuado para aplicaciones industriales