Descripción
Características Generales
- Tipo: NPN Transistor de Silicio
- Encapsulado: TO-126
- Polaridad: NPN
- Material: Silicio
- También conocido como: 2SC13003, C13003
Valores Máximos Absolutos
- Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 400V
- Vcbo (Voltaje Colector-Base): 500V
- Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V
- Ic (Corriente de Colector): 1.5A
- Ic pico: 3A
- Ib (Corriente de Base): 0.5A
- Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C
- Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
- Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C
Características Eléctricas (@ 25°C)
- hFE (Ganancia de corriente DC):
- 20-100 @ Ic=0.1A, Vce=5V
- 8 mín @ Ic=1A, Vce=5V
- VCE(sat) (Voltaje de saturación Colector-Emisor): 0.6V máx @ Ic=0.5A
- VBE(sat) (Voltaje de saturación Base-Emisor): 1.2V máx @ Ic=0.5A
- VBE(on) (Voltaje Base-Emisor en conducción): 1.0V @ Ic=0.5A
- ft (Frecuencia de Transición): 4 MHz típico
- Tiempo de Conmutación (ton): 0.3μs típico
- Tiempo de Almacenamiento (ts): 0.8μs típico
- Tiempo de Caída (tf): 0.3μs típico
Características Térmicas
- Rθjc (Resistencia Térmica Juntura-Cápsula): 10°C/W
- Rθja (Resistencia Térmica Juntura-Ambiente): 62.5°C/W
Aplicaciones Típicas
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Convertidores DC-DC
- Inversores
- Circuitos de deflexión horizontal
- Drivers de transformadores
- Control de cargas inductivas
- Aplicaciones de alta tensión
- Circuitos de conmutación rápida
Dimensiones del Encapsulado TO-126
- Longitud: 8.7mm
- Ancho: 6.4mm
- Altura: 2.5mm
- Distribución de pines (de izquierda a derecha):
- Base
- Colector
- Emisor
Características Destacadas
- Alto voltaje de operación (400V)
- Buena capacidad de conmutación
- Ideal para aplicaciones SMPS
- Robusto en aplicaciones de alta tensión
- Buena respuesta en frecuencia
- Ampliamente utilizado en fuentes conmutadas
- Excelente para cargas inductivas
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