• BC547 NPN

    Transistor 2N6027

    1.000

    El 2N6027 es un transistor de disparo programable (PUT, Programmable Unijunction Transistor), similar a un transistor unijuntura (UJT), pero con la ventaja de que su voltaje de disparo es programable mediante resistencias externas. Características principales del 2N6027: Tipo: Transistor unijuntura programable (PUT) Voltaje de disparo (VP_{P}P​): Programable con resistencias externas Corriente de disparo (IP_{P}P​): Típicamente…

  • Transistor TO-220

    Transistor A940 TO-220

    5.000

    El A940 en encapsulado TO-220 es un transistor PNP de potencia. Aquí tienes sus especificaciones: Características generales: Tipo: Transistor bipolar de potencia (BJT) Configuración: PNP Encapsulado: TO-220 Parámetros eléctricos: Voltaje de colector-emisor (Vce): -150V Voltaje de colector-base (Vcb): -150V Voltaje emisor-base (Veb): -5V Corriente de colector máxima (Ic): -1.5A Disipación de potencia (Pd): 20W Ganancia…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP137 TO-220

    5.000

    Características generales: Tipo: Transistor bipolar de potencia (BJT) Configuración: PNP Darlington Encapsulado: TO-220 Parámetros eléctricos: Voltaje de colector-emisor (Vce): -80V Voltaje de colector-base (Vcb): -80V Voltaje emisor-base (Veb): -5V Corriente de colector máxima (Ic): -8A Corriente de pico de colector (Icm): -12A Disipación de potencia (Pd): 125W Ganancia de corriente (hFE): 1000 (mínimo a 5A,…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP147 TO-220

    5.000

    Características generales: Tipo: Transistor bipolar de potencia (BJT) Configuración: PNP Darlington Encapsulado: TO-220 Parámetros eléctricos: Voltaje de colector-emisor (Vce): -100V Voltaje de colector-base (Vcb): -100V Voltaje emisor-base (Veb): -5V Corriente de colector máxima (Ic): -10A Corriente de pico de colector (Icm): -15A Disipación de potencia (Pd): 125W Ganancia de corriente (hFE): 1000 (mínimo a 5A,…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP42 TO-220

    5.000

    El TIP42 es un transistor PNP de potencia en encapsulado TO-220, utilizado en amplificación de potencia y conmutación de cargas de alta corriente. Especificaciones Eléctricas Tipo: PNP Voltaje de colector-emisor (V_CEO): -40V (TIP42A), -60V (TIP42B), -100V (TIP42C) Voltaje de colector-base (V_CBO): -40V (TIP42A), -60V (TIP42B), -100V (TIP42C) Voltaje de emisor-base (V_EBO): -5V Corriente de colector…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP32 TO-220

    5.000

      El TIP32 es un transistor PNP de potencia en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación de cargas de alta corriente. Especificaciones Eléctricas Tipo: PNP Voltaje de colector-emisor (V_CEO): -40V (TIP32A), -60V (TIP32B), -100V (TIP32C) Voltaje de colector-base (V_CBO): -40V (TIP32A), -60V (TIP32B), -100V (TIP32C) Voltaje de emisor-base (V_EBO): -5V…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP127 TO-220

    5.000

    El TIP127 es un transistor Darlington PNP de potencia en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia y amplificación de alta corriente. Se usa comúnmente en control de motores, relés y reguladores de voltaje. Especificaciones Eléctricas Tipo: PNP Darlington Voltaje de colector-emisor (V_CEO): -100V Voltaje de colector-base (V_CBO): -100V Voltaje de emisor-base (V_EBO):…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP122 TO-220

    5.000

    El TIP122 es un transistor Darlington NPN de potencia en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de alta ganancia de corriente y conmutación de potencia. Es ideal para control de motores, relés y amplificación de potencia. Especificaciones Eléctricas Tipo: NPN Darlington Voltaje de colector-emisor (V_CEO): 100V Voltaje de colector-base (V_CBO): 100V Voltaje de emisor-base (V_EBO): 5V…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP142 TO-220

    5.000

    El TIP142 es un transistor Darlington NPN de potencia en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de alta corriente y amplificación de potencia. Su configuración Darlington permite una ganancia de corriente muy alta. Especificaciones Eléctricas Tipo: NPN Darlington Voltaje de colector-emisor (V_CEO): 100V Voltaje de colector-base (V_CBO): 100V Voltaje de emisor-base (V_EBO): 5V Corriente de colector…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP41C TO-220

    5.000

    El TIP41C es un transistor NPN de potencia en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación en circuitos electrónicos. Especificaciones Eléctricas Tipo: NPN Voltaje de colector-emisor (V_CEO): 100V Voltaje de colector-base (V_CBO): 100V Voltaje de emisor-base (V_EBO): 5V Corriente de colector máxima (I_C): 6A Corriente de pico de colector (I_CM): 10A…

  • Transistor TO-220

    Transistor TIP31C TO-220

    5.000

    El TIP31C es un transistor NPN de potencia en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en circuitos de potencia. Especificaciones Eléctricas Tipo: NPN Voltaje de colector-emisor (V_CEO): 100V Voltaje de colector-base (V_CBO): 100V Voltaje de emisor-base (V_EBO): 5V Corriente de colector máxima (I_C): 3A Corriente de pico de colector (I_CM): 5A Disipación…

  • Transistor TO-220

    Transistor C2073 TO-220

    5.000

    El C2073 (2SC2073) es un transistor NPN de potencia en encapsulado TO-220, diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación de audio y conmutación en fuentes de alimentación. Especificaciones Eléctricas Tipo: NPN Voltaje de colector-emisor (V_CEO): 60V Voltaje de colector-base (V_CBO): 60V Voltaje de emisor-base (V_EBO): 5V Corriente de colector máxima (I_C): 3A Corriente de pico de…

  • Transistor TO-220

    Transistor BU406 TO-220

    5.000

    El BU406 es un transistor NPN de potencia en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta tensión, especialmente en circuitos de deflexión horizontal en televisores CRT y otros usos de conmutación. Especificaciones Eléctricas Tipo: NPN Voltaje de colector-emisor (V_CEO): 150V Voltaje de colector-base (V_CBO): 200V Voltaje de emisor-base (V_EBO): 5V Corriente…

  • Transistor TO-220

    Transistor 50N06 TO-220

    5.000

    El 50N06 es un MOSFET de potencia tipo N en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en conducción. Aquí están sus principales especificaciones: Especificaciones Eléctricas Tipo: MOSFET canal N Voltaje de drenaje-fuente (V_DSS): 60V Corriente de drenaje (I_D): 50A (a 25°C) Resistencia en conducción (R_DS(on)): 18 mΩ (máx.)…

  • Transistor TO-220

    Transistor D880 TO-220

    5.000

    El D880 es un transistor NPN de potencia en encapsulado TO-220, utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación de potencia. Aquí están sus especificaciones principales: Especificaciones Eléctricas Tipo: NPN Voltaje de colector-emisor (V_CEO): 60V Voltaje de colector-base (V_CBO): 60V Voltaje de emisor-base (V_EBO): 5V Corriente de colector máxima (I_C): 3A Disipación de potencia (P_TOT): 30W…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor 2P4M TO-126

    5.000

    El 2P4M es un SCR (Rectificador Controlado de Silicio) en encapsulado TO-126, utilizado en aplicaciones de control de potencia de corriente alterna y conmutación de alta tensión. Aquí están sus principales especificaciones: Especificaciones Eléctricas Voltaje de bloqueo en estado apagado (V_DRM/V_RRM): 400V Corriente promedio de conducción (I_T(AV)): 2A Corriente de pico no repetitiva (I_TSM): 20A…