Transistor 50N06 TO-220

Descripción

El 50N06 es un MOSFET de potencia tipo N en encapsulado TO-220, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en conducción. Aquí están sus principales especificaciones:

Especificaciones Eléctricas

• Tipo: MOSFET canal N
• Voltaje de drenaje-fuente (V_DSS): 60V
• Corriente de drenaje (I_D): 50A (a 25°C)
• Resistencia en conducción (R_DS(on)): 18 mΩ (máx.)
• Voltaje de compuerta-umbral (V_GS(th)): 2.0 – 4.0V
• Capacitancia de entrada (C_iss): Aproximadamente 1800 pF
• Frecuencia de conmutación: Alta velocidad
• Disipación de potencia (P_TOT): 110W
• Temperatura de operación (T_j): -55°C a +175°C

Características Físicas y Encapsulado

• Encapsulado: TO-220
• Tipo: Montaje a través de agujero (Through-Hole)
• Configuración de pines:
  • 1 → Gate (G) (Compuerta)
  • 2 → Drain (D) (Drenaje) (conectado a la parte metálica del encapsulado)
  • 3 → Source (S) (Fuente)

Aplicaciones Comunes

• Reguladores de voltaje en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Controladores de motores y actuadores
• Inversores de potencia y UPS
• Aplicaciones en automoción y electrónica industrial