• PT100 de 3metros

    PT100 M8 50MM 3M

    140.000

    Tipo: PT100 Aislamiento interno del cable: fibra de vidrio Temperatura de funcionamiento: -50 – 400 ℃ Longitud de la sonda: 50mm Longitud: 3M  El termopar se usa comúnmente en instrumentos de medición de temperatura. Puede medir directamente la temperatura y convertir la señal de temperatura en una señal de fuerza electromotriz térmica. Se utiliza generalmente…

  • Mecha de 1mm

    Mecha de 1mm

    25.000

    Fresa: 1.0mm Material: carburo Diámetro de corte: 0,8 mm Diámetro del vástago: 3,175 mm (1/8 ”) Longitud de corte: 7 mm Longitud total: 38 mm

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Tiristor 2P4M TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: Rectificador Controlado de Silicio (SCR) Encapsulado: TO-126 Polaridad: Unidireccional Material: Silicio Valores Máximos Absolutos VDRM/VRRM (Voltaje de bloqueo repetitivo): 600V (típico) IT(RMS) (Corriente RMS en estado encendido): 2A (típico) I2t (Energía de conmutación): Especificado en la hoja de datos (depende de las condiciones) Temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C Temperatura de almacenamiento:…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    TRIAC BT134 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: TRIAC de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: Bidireccional Material: Silicio Valores Máximos Absolutos VDRM/VRRM (Voltaje de bloqueo repetitivo): 600V (típico) IT(RMS) (Corriente RMS en estado encendido): 4A (típico) I2t (Energía de conmutación): Especificado en la hoja de datos (depende de las condiciones) Temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C Temperatura de almacenamiento: -65°C a…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor BD438 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: Transistor PNP de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 45V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector Continua): 4A Pc (Potencia de Colector): 36W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor BD235 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: Transistor NPN de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 60V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector Continua): 2A Pc (Potencia de Colector): 25W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor BD136 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: Transistor PNP de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -45V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Pc (Potencia de Colector): 1.25W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C Características Eléctricas (@…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor 13003 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio También conocido como: 2SC13003, C13003 Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 400V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 500V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Ic pico: 3A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor D238 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: PNP Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Complementario: D237 (NPN) Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): -2A Ic pico: -3A Ib (Corriente de Base): -0.3A Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor D237 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 45V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 2A Ic pico: 3A Ib (Corriente de Base): 0.3A Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor B649 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 100V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 120V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Ic pico: 3A Ib (Corriente de Base): 0.3A Pc (Potencia de Colector): 15W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor D669 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 60V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 80V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 2A Ic pico: 4A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 20W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor C106 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: SCR (Rectificador Controlado de Silicio) Encapsulado: TO-126 Material: Silicio Tipo de Control: Disparo por Compuerta Valores Máximos Absolutos VDRM/VRRM (Voltaje Pico Repetitivo Directo/Inverso): 400V IT(RMS) (Corriente RMS): 4A ITSM (Corriente Pico no Repetitiva): 25A @ 60Hz IGT (Corriente de Disparo de Compuerta): 200μA máx @ VD=12V VGT (Voltaje de Disparo de Compuerta):…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor BD140 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: PNP Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: PNP Material: Silicio Complementario: BD139 (NPN) Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): -80V Vcbo (Voltaje Colector-Base): -80V Vebo (Voltaje Emisor-Base): -5V Ic (Corriente de Colector): -1.5A Ic pico: -2A Ib (Corriente de Base): -0.2A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -65°C…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor BD139 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Complementario: BD140 (PNP) Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 80V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 80V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 1.5A Ic pico: 2A Ib (Corriente de Base): 0.2A Pc (Potencia de Colector): 12.5W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -65°C…

  • Tiristor 2PAM TO-126

    Transistor D882 TO-126

    5.000

    Características Generales Tipo: NPN Transistor de Silicio Encapsulado: TO-126 Polaridad: NPN Material: Silicio Valores Máximos Absolutos Vceo (Voltaje Colector-Emisor): 30V Vcbo (Voltaje Colector-Base): 60V Vebo (Voltaje Emisor-Base): 5V Ic (Corriente de Colector): 3A Ic pico: 5A Ib (Corriente de Base): 0.5A Pc (Potencia de Colector): 30W @ Tc=25°C Temperatura de Operación: -55°C a +150°C Temperatura…